等离子清洗机 （9家企业）

等离子清洁机就是通过利用活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁、涂覆等目的。

等离子去胶机 （9家企业）

等离子去胶机是采用氧等离子轰击样品表面，去除表面残胶。

晶圆清洗设备 （10家企业）

清洗附着在晶圆表面残留化学剂、颗粒、金属等杂质。

液相外延设备 （1家企业）

液相外延由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方法。

多线切割机 （7家企业）

多线切割是一种通过金属丝的高速往复运动，把磨料带入半导体加工区域进行研磨，将半导体等硬脆材料一次同时切割为数百片薄片的一种新型切割加工方法。

分子束外延设备 （5家企业）

分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，也是一种特殊的真空镀膜工艺。

气相外延设备 （1家企业）

气相外延是一种单晶薄层生长方法。气相外延广义上是化学气相沉积的一种特殊方式，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。

PVD设备 （4家企业）

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

退火炉 （2家企业）

退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。

单晶炉 （5家企业）

是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。

氧化设备 （2家企业）

是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理,在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的仪器。

湿法刻蚀设备 （4家企业）

是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的机器。

激光退火设备 （8家企业）

主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅。

CVD设备 （4家企业）

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。

等离子刻蚀机 （8家企业）

等离子刻蚀机，一种采用等离子的干法蚀刻技术的设备。通常使用较高压力及较小的射频功率，芯片表面层原子或分子与等离子气氛中的活性原子接触并发生反应，形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻。

ALD设备 （6家企业）

是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。

RTP设备 （5家企业）

快速退火炉是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料快速的加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。

光刻机 （4家企业）

光刻机（Mask Aligner) ，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

涂布显影设备 （5家企业）

用于光刻胶的涂覆、显影、加热、冷却。

离子注入设备 （4家企业）

离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。

抛光机 （7家企业）

CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。